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Da IBM il primo chip SRAM a 32 nanometri

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I lavori condotti da IBM e dai suoi partner (AMD, Samsung, Infineon, Freescale e Chartered Semiconductor) sulla realizzazione di una linea produttiva a 32 nanometri hanno recentemente portato ad un primo risultato concreto: IBM è stata in grado di realizzare un chip funzionante di memoria SRAM a 32 nanometri, basato sull’utilizzo di transistor High-K Metal Gate.

Tale chip di memoria, avente una dimensione inferiore agli 0,15 micron quadrati, rappresenta il primo step per la verifica della qualità del nuovo processo produttivo: la prima applicazione di un processo produttivo di nuova generazione è solitamente la realizzazione di un semplice chip di memoria SRAM.

Ovviamente, il processo produttivo a 32 nanometri permetterà di realizzare soluzioni che garantiranno un risparmio in termini di materiali e corrente e consumata.

Secondo le dichiarazioni della stessa IBM, il risparmio energetico rispetto all’attuale tecnologia a 45 nanometri sarà del 45% circa, mentre la dimensione dei chip potrà essere ridotta fino al 50%.

Sebbene sia già stato realizzato un prototipo funzionante, questa tecnologia produttiva potrà essere utilizzata dai membri della IBM Alliance a partire dalla seconda metà del 2009.

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