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Samsung miniaturizza le GDDR5 a 50 nanometri

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Samsung ha avviato la produzione in massa per le sue nuove memorie GDDR5, destinate ad equipaggiare schede video per PC e console, caratterizzate da un processo produttivo di 50 nanometri, grazie al quale è possibile raggiungere notevoli frequenze di funzionamento.

Le specifiche rilasciate dal produttore coreano parlano di una velocità teorica massima di trasferimento pari a 7Gbps, portando all’atto pratico la bandwidth delle GDDR5 a 28GB/s, contro i 12,8GB/s delle GDDR4

La differenza sostanziale tra le GDDR4 e le GDDR5 risiede nella gestione del clock: queste ultime, a differenza delle precedenti, non richiedono che le operazioni di input/output siano sincronizzate con il clock, eliminando quindi problemi di latenza a vantaggio di un maggiore throughput.

La scelta del processo produttivo a 50 nanometri ha consentito di incrementare fino al 100% l’efficienza della produzione delle nuove memorie rispetto alla precedente generazione realizzata a 60 nanometri, senza contare che queste nuove GDDR5 richiedono solo 1,35V per funzionare, risparmiando fino al 20% di energia rispetto alle GDDR4.

Al momento le GDDR5 sono disponibili in configurazioni da 32MB x32 e 64MB x16, ma Samsung ha confermato la sua volontà di espandere l’offerta relativa a queste memorie nel corso del 2009 con l’obiettivo di raggiungere il 20% di market share nel settore.

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