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Toshiba lancia SSD da 32 nm ed è pronta per i 20 nm

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Al prossimo Intel Developer Forum di San Francisco, Toshiba presenterà due drive a stato solido realizzati con chip NAND flash da 32 nanometri.

Nel frattempo, ha annunciato un accordo con SanDisk per produrre memorie flash con processo produttivo a 20 nanometri a partire dal 2010.

I due SSD realizzati a 32 nanometri hanno capacità di 30 GB e 62 GB, velocità di lettura pari a 180 MB/sec e velocità di scrittura pari a 70 MB/sec.

La novità è rappresentata dal form factor adottato dall’azienda giapponese: non un normale 2,5 pollici, ma il nuovo miniSATA (mSATA), visibile a destra nell’immagine.

L’interfaccia supporta transfer rate di 1,5 Gbps e 3 Gbps, quindi valori analoghi all’attuale SATA II, ma la dimensione è dimezzata, consentendo di inserire unità SSD, non solo in notebook o netbook, ma anche nei futuri PDA e smartphone.

Per quanto riguarda invece l’accordo con SanDisk, la produzione inizierà verso il secondo semestre 2010, con una capacità mensile di circa 200.000 wafer nello stabilimento di Yokkaichi in Giappone, dove attualmente vengono realizzati chip NAND flash a 3 bit per cella con tecnologia a 32 nanometri.

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