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Intel inventa il transistor 3D per Ivy Bridge

3D Tri-Gate transistor

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La prossima architettura per processori Intel sarà realizzata con processo produttivo a 22 nanometri. Il raffinamento della tecnologia è stato possibile grazie alla realizzazione del transistor 3D Tri-Gate, che sarà il componente base di tutti i futuri processori. Il chipmaker di Santa Clara dunque garantirà il rispetto della famosa Legge di Moore ancora per molto tempo.

A differenza dei transistor tradizionali (strutture bidimensionali con gate planare), i transistor 3D sono costituiti da un’aletta verticale collegata al substrato di silicio che forma un canale conduttivo a tre lati. Il passaggio di corrente all’interno del transistor viene regolato da un Tri-Gate, ovvero un gate che copre i tre lati dell’aletta di silicio.

Questa soluzione permette di ottenere diversi benefici: processori più piccoli, riduzione della dispersione di corrente nello stato off, commutazione più veloce dallo stato off a quello on (e viceversa), riduzione dei consumi del 50% e incremento delle prestazioni del 37% rispetto ai transistor bidimensionali a 32 nanometri.

Intel ha stimato che il costo produttivo aumenterà solo del 2-3%, ma il rapporto prezzo/prestazioni dei processori Ivy Bridge sarà migliore degli attuali chip Sandy Bridge. La produzione di massa inizierà nella seconda metà dell’anno. Il passaggio ai 14 nanometri avverrà nel 2013, mentre le prime CPU a 10 nanometri saranno prodotte nel 2015.

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