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IBM annuncia la memoria PCM multibit

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Due settimane fa, ha festeggiato i 100 anni dalla nascita, ma IBM continua a sviluppare nuove tecnologie, mantenendo fede al nome di azienda con più brevetti al mondo. Gli IBM Research Labs hanno annunciato un nuovo tipo di memoria non volatile, 100 volte più veloce dell’attuale memoria flash.

La PCM (Phase Change Memory) sarà la memoria del futuro e consentirà di realizzare dispositivi mobile o sistemi di storage di classe enterprise a basso costo, più veloci e con una durata maggiore. Gli scienziati IBM del laboratorio di Zurigo hanno dimostrato come sia possibile memorizzare più bit in ogni cella di memoria per ottenere prestazioni in lettura e scrittura 100 volte superiori a quelle delle celle flash NAND.

Finora è stato possibile sviluppare solo memorie PCM con un solo bit per cella, a causa della variazione del livello di resistenza che provocava errori di lettura. La memorizzazione di un bit in una cella avviene attraverso il cambiamento di fase del materiale utilizzato: il passaggio dallo stato cristallino (bassa resistenza) allo stato amorfo (alta resistenza) consente di conservare un bit. IBM è riuscita a controllare il cambiamento di fase applicando impulsi di tensione o corrente di differente forza. In questo modo, gli scienziati sono riusciti ad utilizzare quattro livelli di resistenza per memorizzare i valori 00, 01, 10 e 11.

Dopo molti anni di ricerca, IBM ha realizzato un chip di memoria PCM costituito da 200.000 celle, utilizzando la tecnologia CMOS a 90 nanometri. Questo tipo di memoria possiede anche una durata molto elevata: oltre 10 milioni di cicli di scrittura. La memoria flash invece non supera i 30.000 cicli.

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