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Samsung inaugura la memory fab più grande del mondo

Samsung vuole confermare la leadership sul mercato delle memorie producendo chip DRAM a 20 nanometri.

Samsung DRAM

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Il gigante coreano ha annunciato l’avvio della nuova linea produttiva dedicata alle memorie DDR3 basate sul processo tecnologico a 20 nanometri. La Linea 16, situata nel Nano City Complex di Hwaseong, è la fabbrica di chip di memoria più grande del mondo. La cifra investita da Samsung è stata di oltre 10 miliardi di dollari. L’obiettivo è eliminare gli avversari dal mercato.

La linea produttiva occupa 12 edifici e una superficie di 198.000 metri quadrati. La stima dell’azienda è produrre 10.000 wafer da 12 pollici al mese. La costruzione della Linea 16 è iniziata a maggio 2010, il primo test è stato effettuato a giugno, mentre la produzione in volumi è stata avviata ad agosto.

Per i concorrenti taiwanesi e giapponesi, che realizzano chip a 25 nanometri, si prevede un futuro molto negativo. L’aumento del volume di produzione di Samsung, tra l’altro l’unica azienda ad investire in questo periodo di crisi, provocherà un effetto a catena: riduzione dei prezzi delle memorie, minori profitti e bilanci in rosso.

Samsung è già leader mondiale sul mercato delle memorie con un market share vicino al 42%, ma con la nuova linea produttiva potrebbe diventare il monopolista assoluto. Per ironia della sorte, la spinta maggiore verso questo obiettivo potrebbe arrivare da Apple, nonostante la disputa legale in corso che ha portato al blocco delle vendite in Germania del Galaxy Tab 10.1. La memoria interna del prossimo iPhone 5 dovrebbe essere prodotta da Samsung, anche se le ultime indiscrezioni parlano di un accordo con Elpida e Toshiba.

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