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Hybrid Memory Cube: 15 volte più veloce della DDR3

La nuova architettura 3D permetterà di realizzare memorie più veloci, più piccole e più efficienti.

Hybrid Memory Cube

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Samsung e Micron hanno annunciato la creazione di un consorzio per lo sviluppo di una nuova tecnologia di memoria che permetterà di ottenere prestazioni 15 volte superiori a quelle fornite dall’attuale DDR3. L’architettura si chiama Hybrid Memory Cube e darà origine a chip più piccoli, più economici e più efficienti dal punto di vista dei consumi.

La Hybrid Memory Cube permetterà di risolvere il problema della scarsa larghezza di banda dell’attuale tecnologia, attraverso una struttura a forma di cubo che incrementerà la densità per bit e la velocità di trasferimento dei dati verso la CPU.

I processori moderni infatti elaborano una quantità enorme di informazioni grazie all’utilizzo di un’architettura multicore. La normale memoria non riesce ad inviare i dati richiesti alla stessa velocità e dunque la CPU rimane in attesa, con la conseguenza di ridurre le prestazioni complessive del sistema.

L’architettura 3D della Hybrid Memory Cube permetterà dunque una “alimentazione” continua del processore, un aumento della larghezza di banda e una riduzione dei consumi. I campi di applicazione variano dai supercomputer ai prodotti di uso comune, come tablet e schede video. Se la DDR4 rappresenta uno standard evolutivo, la Hybrid Memory Cube rappresenterà una tecnologia rivoluzionaria.

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