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La ReRAM sostituirà le memorie DRAM e flash

Questa memoria non volatile ad alta velocità potrebbe essere integrata direttamente nei processori.

Memristore

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HP e Hynix sono pronti ad annunciare le memorie del futuro. Le ReRAM (Resistive Random Access Memory) rappresentano l’applicazione pratica del memristore, il quarto elemento passivo di base, dopo resistore, condensatore e induttore. Le due aziende prevedono l’inizio della commercializzazione per l’estate del 2013, tra circa 18 mesi.

Le ReRAM sono un tipo di memoria non volatile, il cui sviluppo è iniziato da diversi anni, ma ora sono pronte ad arrivare sul mercato. HP afferma che l’obiettivo è sostituire le memoria flash utilizzate negli SSD, in quanto possiedono caratteristiche decisamente superiori. Le ReRAM infatti hanno una maggiore velocità, richiedono meno energia per leggere e scrivere un bit, garantendo allo stesso tempo affidabilità e integrità dei dati memorizzati.

La ReRAM potrebbe addirittura diventare una memoria universale, perché nel 2014/2015 potrebbero sostituire sia le SRAM che le comuni DRAM. Attualmente nelle fabbriche di Hynix ci sono centinaia di wafer in produzione e, nonostante l’assenza di una vera roadmap, lo sviluppo della tecnologia è già in una fase molto avanzata.

Le prestazioni di queste memorie sono impressionanti: meno di 10 nanosecondi in lettura e 0,1 nanosecondi in scrittura/cancellazione. Con queste velocità sarebbe possibile integrare le ReRAM direttamente all’interno dei processori. Si potrebbero realizzare CPU con 2 GB di ReRAM per ogni core, così la famosa legge di Moore verrebbe rispettata per altri 20 anni.

Ci sono diverse aziende che stanno lavorando su nuove tecnologie di memoria. Una delle più attive è Samsung che ha recentemente annunciato la Hybrid Memory Cube.

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