Hybrid Memory Cube, la scommessa di IBM e Micron

Si chiamano Hybrid Memory Cube e potrebbero rappresentare l’avvenire delle attuali DRAM. I produttori hanno parlato per anni della possibilità di poter dare vita a chip per la cosiddetta “memoria 3D”. Oggi IBM è pronta a concretizzare quella visione, annunciando che produrrà il chip tridimensionale Hybrid Memory Cube per conto di Micron.

Trattasi di tecnologie all’avanguardia che salvo sorprese rappresenteranno il futuro in questo settore. Le parti dell’HMC saranno prodotte a East Fishkill, presso l’impianto IBM dedicato alla fabbricazione di semiconduttori avvalendosi della tecnologia high-K metal gate a 32 nm. I prototipi di HMC permettono di lavorare con un’ampiezza di banda pari a 128 gigabyte al secondo. Si pensi che attualmente il dispositivo più avanzato è in grado di raggiungere massimo i 12,8 GB per secondo. Questo grazie alle tecnologie TSVi utilizzate dall’Hybrid Memory Cube, che collegano elettricamente pile di singoli chip per combinarli a dispositivi come le DRAM.

Altri pregi dell’HMC risiedono inoltre nel basso consumo energetico, circa il 70% in meno rispetto le attuali memorie, e nelle forme, con un form factor del 90% in meno dei dispositivi simili odierni. IBM è convinta che HMC potrà essere la nuova frontiera delle prestazioni, in grado di adattarsi a qualsiasi settore, dal networking su larga scala ai PC consumer.