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In arrivo memorie con velocità dei Terahertz

Alcuni ricercatori statunitensi hanno realizzato una tecnologia in grado di velocizzare la scrittura di dati su memorie magnetiche di 1000 volte.

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Il settore dell’archiviazione dati potrebbe presto vivere una nuova rivoluzione: alcuni ricercatori della Iowa State University in collaborazione con alcuni colleghi dell’Università di Creta hanno infatti individuato una soluzione tecnologica in grado di permettere il raggiungimento di frequenze nell’ordine dei Terahertz nella scrittura di dati. In futuro, insomma, i dispositivi di storage potrebbero essere circa 1000 volte più veloci di quelli attualmente in commercio.

Utilizzando un impulso laser a breve raggio i ricercatori hanno dimostrato la possibilità di effettuare rapidi cambiamenti nella struttura magnetica dei materiali analizzati. In pochissimi femtosecondi è possibile infatti passare dallo stato ferromagnetico a quello anti-ferromagnetico: tradotto in termini informatici, in frazioni piccolissime del secondo è possibile scrivere un bit in una cella di memoria, raggiungendo velocità fino ad ora impensabili per le tecnologie magnetiche.

Ad oggi, le soluzioni basate sul ferromagnetismo fanno uso di campi magnetici generati dall’esterno oppure raggi laser continui, permettendo di fatto fluttuazioni magnetiche con frequenze decisamente più basse di quelle sperimentate nei laboratori statunitensi. Queste ultime sono dunque il frutto dell’utilizzo di impulsi laser e di materiali denominati “magnetoresistivi”, particolarmente efficienti nel rispondere a stimoli esterni che ne modificano lo stato magnetico per scrivere dati.

Le memorie RAM, gli hard disk ed altri supporti magnetici ed ottici potrebbero dunque in futuro permette di raggiungere velocità mille volte superiori, compiendo un sensibile passo in avanti dal punto di vista tecnologico. Al momento sono diversi tuttavia gli ostacoli da superare affinché tale soluzione possa proporsi con decisione sul mercato, ma i ricercatori sembrano convinti di poter produrre i primi device in tempi non eccessivamente lunghi.

Fonte: PhysOrg • Immagine: chrissinjo • Notizie su: