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SSD da 10 TB con le nuove memorie 3D NAND di Intel

Le nuove memorie flash 3D NAND realizzate da Intel e Micron permettono di incrementare la capacità e le prestazioni degli SSD, riducendo i consumi.

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Intel e Micron hanno annunciato la realizzazione di memorie flash tridimensionali che consentiranno di produrre SSD da 2,5 pollici con capacità fino a 10 TB. La tecnologia 3D NAND permette di incrementare la densità di storage attraverso livelli multipli di celle che si sviluppano in verticale. L’arrivo sul mercato dei primi prodotti è previsto nel corso del 2016.

Grazie a questo risultato, il chipmaker di Santa Clara ha in pratica esteso la famosa legge di Moore alle memorie flash. La nuova tecnologia consente di triplicare la capacità di storage, riducendo allo stesso tempo i costi e i consumi. Analogamente ai processori, anche le memorie flash NAND planari sono vicini al loro limite fisico. L’aggiunta della terza dimensione è invece la soluzione adatta per offrire agli utenti SSD sempre più capienti e veloci. Per la prima volta, infatti, sono state impiegate celle di memoria 3D a gate flottante.

All’interno di un package standard è possibile inserire 32 layer per ottenere un cella MLC da 256 Gb e una cella TLC da 384 Gb. Queste capacità permettono di realizzare SSD in formato M.2 da 3,5 GB e SSD da 2,5 pollici da 10 TB. Dato che l’aumento di capacità viene ottenuto in verticale, le dimensioni delle singole celle sono più grandi. Ciò comporta un incremento delle prestazioni e della durata.

Anche l’efficienza energetica è stata migliorata rispetto alla attuale memorie TLC planari, in quanto è possibile tagliare i consumi dei singoli layer inattivi. La produzione di massa delle nuove celle 3D NAND verrà avviata nel quarto trimestre.

Fonte: Intel • Notizie su: