Samsung progetta uno smartphone olografico?

Un brevetto depositato da Samsung a fine 2014 descrive una tecnologia che permette di proiettare ologrammi con uno smartphone.
Un brevetto depositato da Samsung a fine 2014 descrive una tecnologia che permette di proiettare ologrammi con uno smartphone.

Come altre multinazionali, anche Samsung ha una divisione R&D particolarmente attiva, soprattutto nel settore dei display. Oltre a dispositivi con pannelli pieghevoli, il produttore coreano sembra intenzionato a realizzare smartphone olografici. Un brevetto depositato negli Stati Uniti a fine 2014 illustra il funzionamento della tecnologia. Tuttavia, non c’è nessuna certezza che un simile prodotto arrivi sul mercato.

Samsung è stata la prima azienda ad utilizzare un display Super AMOLED e il primo produttore ad usare uno schermo dual edge. Entro il 2016 dovrebbe annunciare un dispositivo con display pieghevole (Project Valley). Ma un’altra tecnologia avveniristica potrebbe arrivare sul mercato nei prossimi anni. Il brevetto depositato presso lo USPTO descrive uno smartphone in grado di visualizzare ologrammi e/o icone olografiche. L’immagine olografica viene generata da componenti ottici e guide di luce integrati nel pannello AMOLED.

In pratica, il dispositivo può proiettare contenuti olografici all’esterno dello schermo, offrendo all’utente un’esperienza 3D “quasi reale”. Durante l’anteprima del film “Avengers: Age of Ultron” a Seul, un dirigente Samsung aveva domandato ai giornalisti presenti: «Avete visto il dispositivo con il display trasparente?», ma non aveva confermato se in futuro quel device sarebbe diventato un prodotto reale. Il brevetto sullo smartphone olografico potrebbe indicare che quel giorno è più vicino del previsto.

Smartphone olografico

Tornando con i piedi per terra, iniziano a circolare le prime indiscrezioni sul Galaxy S7. Il nuovo modello, che dovrebbe essere annunciato al Mobile World Congress 2016, potrebbe integrare uno Snapdragon 820, un SoC con quattro core Kyro, GPU Adreno 530 e modem LTE Cat. 10, realizzato con processo produttivo FinFET a 14 nanometri.

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