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Samsung annuncia la prima memoria flash da 256 GB

Samsung ha avviato la produzione di massa del primo chip di memoria flash V-NAND da 256 GB basato sullo standard UFS 2.0.

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Anche se molti utenti preferiscono usare una microSD, Samsung ritiene giustamente che le massime prestazioni si ottengono solo con la memoria flash. Per questo motivo ha annunciato l’avvio della produzione del primo chip V-NAND da 256 GB basato sullo standard UFS 2.0. Considerati i tempi, ci sono buone probabilità di trovare un tale quantitativo di storage nei prossimi iPhone 7.

La tecnologia V-NAND, sviluppata dal produttore coreano, prevede l’uso di celle impilate l’una sull’altra per ottenere una struttura verticale tridimensionale che permette di ridurre lo spazio occupato. Questa architettura offre inoltre prestazioni più elevate (quasi il doppio) e consumi inferiori (fino al 45% in meno) rispetto alle tradizionali NAND planari. Grazie allo standard UFS 2.0 e al controller integrato, i chip da 256 GB raggiungono una velocità di 850 MB/s in lettura e di 260 MB/s in scrittura sequenziale, quindi sono tre volte più veloci delle migliori schede microSD sul mercato.

La nuova memoria flash può gestire fino a 45.000 e 40.000 operazioni di input/output al secondo (IOPS), rispettivamente in lettura e scrittura casuale. Le elevate prestazioni consentono di riprodurre un film in Ultra HD 4K, mentre viene effettuato il download di un video. A titolo di esempio, in 256 GB di spazio è possibile memorizzare 47 film con risoluzione full HD. Se utilizzata in smartphone dotati di porta USB 3.0, la V-NAND di Samsung permette di copiare video full HD di 5 GB in appena 12 secondi.

Il produttore non specifica quando la memoria flash arriverà sul mercato, ma conferma di aver già ricevuto diverse richieste. Come anticipato, i nuovi iPhone 7 potrebbero essere i primi smartphone con la V-NAND da 256 GB di Samsung.

Fonte: Samsung • Notizie su:
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