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Wafer da 450 millimetri a partire dal 2012

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Intel, Samsung Electronics e TSMC hanno recentemente siglato un accordo per la transizione a un nuovo processo produttivo per i wafer di silicio che porterà questi ultimi al diametro di 450 millimetri a partire dal 2012.

La lavorazione del silicio è molto lunga e complessa: si comincia dal silicio allo stato grezzo e dopo diversi passaggi di raffinazione si procede alla crescita del “lingotto di silicio monocristallino” a partire da un crogiolo di silicio allo stato fuso, come mostrato nella figura qui a sinistra.

Quest’ultimo passaggio tramite le tecnologie attuali consente di dar forma a lingotti cilindrici con una larghezza di 300 millimetri che vengono poi tagliati a fette sottili, i cosiddetti wafer di silicio, su cui vengono poi stampati i chip. La crescita del monocristallo di silicio è il passaggio più importante, perché dalla purezza del lingotto dipende la resa successiva dei chip ricavati dal wafer.

La prossima evoluzione dal processo produttivo di wafer da 300mm a 450mm porterà quindi diversi benefici, primo tra tutti quello economico, perché a partire da superfici più grandi del 50% rispetto a ora si potranno ricavare più chip da ogni wafer.

Ma non è tutto qui, infatti dietro la lavorazione del silicio c’è un’enorme dispendio di energia e materie prime, in particolare di acqua, che potranno quindi essere risparmiate se verranno mantenute le promesse.

Per chi fosse interessato ad approfondire l’argomento, segnalo il comunicato stampa rilasciato da Intel.