Durante l’Intel Developer Forum in corso di svolgimento a San Francisco, Intel ha mostrato il primo wafer di silicio contenente chip realizzati con processo produttivo a 22 nanometri.
Si tratta in dettaglio di 2,9 miliardi di transistor che costituiscono 364 Mbit di SRAM, tipologia di memoria da sempre utilizzata per mostrare il livello di maturazione raggiunto dalle nuove tecnologie di processo.
Utilizzando la terza generazione della tecnologia High-K/Metal Gate, Intel è riuscita a produrre celle SRAM da 0,092 micron quadrati, dimostrando che la legge di Moore è ancora valida.
Paul Otellini, CEO di Intel, ha confermato l’inizio della produzione per i processori a 32 nanometri, appartenenti alla microarchitettura Westmere, che integrano anche una GPU realizzata a 45 nanometri. Le prime CPU a 22 nanometri saranno presentate nel corso del 2011 e rappresenteranno un “die shrink” della nuova architettura Sandy Bridge prevista alla fine del 2010.
Ma cosa ci attende oltre il 2011? Intel ha presentato la sua tabella di marcia fino al 2015. Nel 2013 arriveranno i processori a 15 nanometri utilizzando sempre il silicio come materiale semiconduttore, ma già prima di questa data è probabile l’arrivo di nuovi materiali in grado di superare i limiti fisici del silicio.
Si parla in particolare degli elementi del III e V gruppo della tavola periodica, ovvero gallio, indio, tallio, arsenico e antimonio, con i quali verranno realizzati i cosiddetti semiconduttori ibridi costituiti da almeno due elementi.
Le ricerche si concentrano anche sui nanotubi di carbonio, sulle interconnessioni ottiche (silicon photonics) e sui transistor 3D.
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