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Intel studia nuovi materiali per ridurre i consumi dei transistor

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Qualche anno fa tutti i produttori avevano come unico obiettivo realizzare componenti hardware sempre più potenti per superare il diretto concorrente nella corsa verso le massime prestazioni.

Fortunatamente le nuove tecnologie produttive hanno permesso di incrementare le prestazioni a vantaggio dei consumi. Ciò è vero in particolare nel settore dei processori, dove Intel e AMD hanno investito parecchie risorse per ottenere CPU meno avide di energia.

In attesa di nuovi materiali che dovrebbero sostituire il silicio, Intel ha comunicato di aver ottenuto importanti risultati per realizzare processori più efficienti.

Dopo l’annuncio dello scorso anno riguardante i transistor a canale N, l’attuale ricerca ha permesso di produrre transistor a canale P realizzati su un substrato di silicio che impiega semiconduttori composti, noti come materiali III-V.

I nuovi transistor possono essere combinati con transistor a canale N per formare circuiti logici CMOS che funzionano con una tensione dimezzata e consumi pari ad un decimo di quelli attuali.

Il campo di applicazione non è solo quello dei processori, ma questi transistor possono essere integrati anche nei chipset, nelle GPU o nelle memorie SRAM.

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