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Transistor ibridi per i processori del futuro

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La nota legge di Moore non potrà essere rispettata all’infinito impiegando solo il silicio come materiale semiconduttore per la produzione di transistor.

La stessa Intel “garantisce” il rispetto della legge almeno fino ai 15 nanometri, ma con dimensioni inferiori inizieranno i problemi a causa dei limiti fisici del silicio.

La ricerca si sposta quindi verso i semiconduttori ibridi, ovvero ottenuti combinando due materiali e sfruttando le loro singole proprietà.

Il chip realizzato dai ricercatori del MIT è composto da transistor al silicio e al nitruro di gallio, che a parità di numero complessivo di transistor, possiede prestazioni superiori rispetto ad un chip esclusivamente di silicio. Quest’ultimo rimane ancora il componente principale, ma le zone più veloci del chip sono in nitruro di gallio.

Oltre al gallio, esistono altri materiali che possiedono prestazioni migliori del silicio, ma il principale vantaggio del silicio è la sua scalabilità, una proprietà che manca agli altri semiconduttori. Per questo è necessario combinare i due materiali, con la possibilità di utilizzare gli attuali impianti produttivi.

Si tratta di una tecnica ancora da affinare, ma i ricercatori sono già al lavoro per realizzare circuiti più complessi e, in futuro, avviare la produzione su tradizionali wafer da 300 mm.

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