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Produzione di massa per le memorie DRAM a 60nm

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Samsung Electronics ha annunciato l’inizio della produzione di massa dei chip DDR2 da 1 Gigabit con processo produttivo a 60nm.

Secondo le stime della casa produttrice, si otterrà un guadagno in termini di efficienza pari al 40% rispetto ai chip con processo produttivo a 80nm e pari al 100% per quelli a 90nm.

I nuovi moduli di memoria basati sull’utilizzo di chip da 1 Gigabit saranno disponibili in quantità di 512MB, 1GB e 2GB, supporteranno velocità di 677Mbps/800Mbps e funzioneranno con una tensione di alimentazione di 1,8V.

La tecnologia di produzione tridimensionale, adottata per la prima volta da Samsung, ha permesso di scendere anche sotto i 60nm e raggiungere una produzione a 50nm per i chip DRAM. Sebbene Samsung abbia già annunciato lo sviluppo di un modulo a 50nm, la produzione di massa non inizierà fino al 2008.

Il secondo trimestre di quest’anno si preannuncia quindi piuttosto movimentato nel settore delle memorie Ram: Samsung infatti introdurrà nel mercato consumer sia i performanti moduli DDR2 a 60nm, sia i nuovi moduli DDR3 supportati dai chipset BearLake di Intel.

A mio avviso tutto questo servirà a confondere le idee all’utente, che si troverà costretto a scegliere tra due architetture completamente diverse e con performance molto simili; sebbene le DDR3 raggiungano frequenze molto elevate, le DDR2 a 60nm garantiscono tempi di latenza molto più bassi.

Quale sarebbe la Vostra scelta?

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