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IBM e Chartered verso i 22 nanometri

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IBM Corporation e Chartered Semicondutor Manufacturing hanno ufficialmente siglato l’estensione del rapporto di collaborazione, iniziato alla fine del 2002, che ha permesso alle due aziende di sviluppare con successo tecnologie produttive CMOS (Complementary Metal Oxyde Semiconductor) a 90 nm, 65 nm, 45 nm e 32 nm.

Il nuovo accordo prevede lo sviluppo congiunto della tecnologia produttiva CMOS a 22 nanometri: stando alle dichiarazioni di Gary Patton, vicepresidente del reparto ricerca e sviluppo di IBM, le nuove tecniche di lavorazione del silicio permetteranno di oltrepassare gli attuali limiti nella riduzione dei processi di produzione, mentre la collaborazione tra le due aziende garantirà il contenimento dei costi per la realizzazione del progetto.

Liang-Choo Hsia, senior vice president del settore ricerca e sviluppo di Chartered, ha dichiarato:

La nostra collaborazione con IBM permette di offrire ai clienti di Chartered roadmap stabili, che si basano sulle novità tecnologiche di IBM. In un momento in cui i nostri clienti stanno accedendo al più innovativo processo di produzione a 32 nanometri, possiamo già dare garanzia del fatto che continueremo a realizzare soluzioni a 22 nanometri durante i prossimi anni.

Sul sito di Chartered è disponibile il documento ufficiale.