Fujitsu e SuVolta realizzano una SRAM a 0,4 Volt

La tecnologia permetterà di ridurre i consumi delle memorie fino al 50%.

Le future generazioni di memorie RAM potrebbero avere consumi molto più bassi di quelli attuali, grazie ad una nuova tecnologia sviluppata da Fujitsu e SuVolta. Le due aziende hanno annunciato la realizzazione di una SRAM (Static Random Access Memory) utilizzando la piattaforma low power PowerShrink CMOS di SuVolta. La tensione di alimentazione è di soli 0,425 Volt.

La tecnologia, illustrata durante l’International Electron Devices Meeting di Washington, permetterà di ridurre i consumi nei dispositivi mobile e potrebbe essere adottata nella realizzazione dei microprocessori. Finora infatti non si è mai riuscito a ridurre la tensione di alimentazione di un CMOS al di sotto di 1 Volt, nonostante l’utilizzo di un processo produttivo a 28 nanometri.

Combinando la tecnologia produttiva di Fujitsu e la tecnologia Deeply Depleted Channel (DDC) di SuVolta, le due aziende hanno realizzato un chip SRAM da 576 Kb che funziona con una tensione di soglia di 0,425 Volt.

Il risultato ottenuto dimostra quindi come sia possibile produrre transistor DDC con una riduzione dei consumi fino al 50%, senza influenzare le frequenze di funzionamento.

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