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Intel e Micron annunciano la prima memoria NAND QLC

Intel e Micron hanno avviato la produzione della prima memoria NAND di tipo QLC con quattro bit per cella che permette di incrementare la capacità.

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Intel e Micron hanno annunciato la prima memoria flash NAND di tipo QLC (Quad-Level Cell). Il primo SSD che utilizza i nuovi chip è il Micron 5210 ION, un modello SATA di classe enterprise con fattore di forma da 2,5 pollici che può essere utilizzato come sostituto dei tradizionali hard disk per la creazione di sistemi di cloud storage ad alte prestazioni.

In una memoria NAND QLC vengono immagazzinati quattro bit per cella, consentendo di incrementare la capacità del 33% rispetto alla memoria NAND TLC con tre bit per cella. Il lato negativo è la riduzione del numero massimo di cicli di scrittura (noti come program/erase) a circa 1.000 e la minore velocità di scrittura. Ciò è dovuto alla difficoltà di discriminare tra 16 possibili livelli di tensione all’interno della cella, il doppio rispetto alle memorie TLC. Il costo produttivo più basso rappresenta comunque un vantaggio per il settore enterprise.

Micron e Intel hanno infatti realizzato una struttura a 64 strati, ottenendo il primo chip al mondo da 1 Terabit organizzato come quattro piani che possono elaborare comandi I/O in parallelo, una soluzione che compensa la perdita di prestazioni dovuta all’aumento della densità. Il nuovo SSD Micron 5210 ION con memorie NAND QLC sarà disponibile nel corso dell’autunno. Tre la capacità offerte dal produttore: 1.920, 3.840 e 7.680 GB.

Micron non ha comunicato le velocità di lettura e scrittura, ma sicuramente il collo di bottiglia sarà rappresentato dalla connessione SATA. Nessuna informazione sul prezzo, ma si prevedono cifre abbastanza concorrenziali. Le due aziende hanno inoltre avviato la produzione delle memorie NAND 3D di tipo TLC con 96 layer.