Notizie su memoria

Chip UFS 3.1 da 512 GB, Samsung avvia la produzione

Luca Colantuoni, 17 Marzo 2020 - Samsung ha avviato la produzione di massa dei chip eUFS 3.1 da 512 GB che raggiungono una velocità di scrittura pari a 1.200 MB/s.

Samsung annuncia la nuova memoria HBM2E da 16 GB

Luca Colantuoni, 5 Febbraio 2020 - Samsung ha annunciato la nuova memoria HBM2E da 16 GB che offre velocità di trasferimento e larghezza di banda superiori a quelli della HBM2 da 8 GB.

Le nuove Intel Optane: 50% in più di prestazioni

Antonino Caffo, 27 Settembre 2019 - Intel ha rivelato la seconda generazione della sua memoria Optane, destinata a data center e SSD, con una Nand 3D QLX a 144 strati.

SanDisk lancia la prima microSD da 1 TB

Marco Locatelli, 16 Maggio 2019 - Annunciata già lo scorso febbraio al Mobile World Congress di Barcellona, SanDisk ha messo ufficialmente sul mercato la sua scheda microSD da 1 TB.

Samsung, nuovo investimento nei chip verso il 2030

Antonino Caffo, 26 Aprile 2019 - Samsung spenderà 116 miliardi di dollari nei prossimi 11 anni nello sviluppo di chip non di memoria, creando 15 mila posti di lavoro.

Perché le schede di memoria diventano rugged

Antonino Caffo, 15 Aprile 2019 - Sony ha lanciato due modelli "estremi", così come Kingston e SanDisk, perché la produzione digitale non può più permettersi di perdere dati.

Kingston presenta la scheda microSD High Endurance

Antonino Caffo, 3 Aprile 2019 - Arriva in tagli da 32, 64 e 128 GB la nuova microSD High Endurance di Kingston, pensata per utilizzi in condizioni estreme.

Lexar svela la prima SD da 1 TB

Antonino Caffo, 11 Gennaio 2019 - Lexar ha ufficialmente presentato la memoria flash da 1 TB con trasferimento fino a 95 MB/s e un prezzo di 500 dollari.

Samsung avvia la produzione della memoria GDDR6

Luca Colantuoni, 18 Gennaio 2018 - Samsung ha avviato la produzione di massa delle memorie GDDR6 da 16 Gb (2 GB) che raggiungono una velocità di 18 Gbps e un transfer rate di 72 GB/s.

Samsung avvia la produzione della nuova HBM2

Luca Colantuoni, 11 Gennaio 2018 - Samsung ha avviato la produzione di massa della memoria HBM2 da 8 GB che offre una velocità massima di 2,4 Gbps e una larghezza di banda di 307,2 GB/s.

Samsung avvia la produzione delle nuove DDR4

Luca Colantuoni, 20 Dicembre 2017 - Samsung ha avviato la produzione di massa dei chip DRAM DDR4 da 8 Gb di seconda generazione, basata sulla tecnologia di processo a 10 nanometri.

Chip eUFS da 512 GB, Samsung avvia la produzione

Luca Colantuoni, 5 Dicembre 2017 - Samsung ha avviato la produzione di massa della memoria flash eUFS da 512 GB che potrebbe essere integrata nei prossimi Galaxy S9/S9+ e Note 9.

Samsung aumenta la produzione della HBM2 da 8 GB

Luca Colantuoni, 19 Luglio 2017 - Samsung ha incrementato la produzione dei moduli di memoria HBM2 da 8 GB per soddisfare la crescente domanda del mercato.

Samsung Galaxy S8, memoria flash UFS 2.0 o 2.1?

Luca Colantuoni, 8 Maggio 2017 - Nei Galaxy S8 e S8+ con processore Snapdragon 835 si possono trovare memorie flash Toshiba di tipo UFS 2.0 o 2.1 con velocità molto diverse tra loro.

Firefox e consumo di RAM, soluzione in arrivo

Luca Colantuoni, 13 Aprile 2017 - In una futura versione di Firefox verrà inclusa una sezione nelle opzioni che consentirà di disattivare alcune funzionalità per ridurre il consumo di RAM.

Samsung annuncia i primi chip LPDDR4 da 8 GB

Luca Colantuoni, 20 Ottobre 2016 - Samsung ha avviato la produzione dei primi chip LPDDR4 da 16 Gb che permettono di realizzare smartphone e tablet con 8 GB di RAM.

Opera desktop consumerà meno memoria

Luca Colantuoni, 28 Luglio 2016 - Le prossime versioni di Opera occuperanno meno RAM, grazie ad una tecnica che riduce la frammentazione della memoria e aumenta la velocità di accesso.

SanDisk Extreme, la microSD più veloce al mondo

Cristiano Ghidotti, 29 Giugno 2016 - Fino a 100 MB/s di velocità nel trasferimento dei file, per la nuova microSD da 256 GB presentata da SanDisk: sarà in vendita entro l'anno a 199,99 euro.

Memorie DRAM e flash addio, il futuro è PCM

Luca Colantuoni, 18 Maggio 2016 - I ricercatori di IBM hanno realizzato una memoria a cambiamento di fase (PCM) con tre bit per cella che garantisce velocità, durata e non volatilità.

Samsung annuncia la prima DRAM a 10 nanometri

Luca Colantuoni, 6 Aprile 2016 - Samsung ha iniziato a produrre chip DDR4 DRAM da 8 Gbit con transistor da 10 nanometri, utilizzando la litografia ad immersione con laser ArF.