micron

SanDisk e Micron hanno annunciato delle capienti microSD da 1 TB nel corso del MWC 2019.

Intel e Micron hanno avviato la produzione della prima memoria NAND di tipo QLC con quattro bit per cella che permette di incrementare la capacità.

Intel e Micron hanno sviluppato la tecnologia 3D XPoint che permette di realizzare memoria non volatile fino a 1.000 volte più veloce della flash NAND.

La scarsa disponibilità di hard disk in commercio, porterà ad un aumento delle richieste di SSD.

La nuova architettura 3D permetterà di realizzare memorie più veloci, più piccole e più efficienti.

La lotta per la supremazia nella corsa ad offrire l’unità SSD più performante si fa serrata. In particolare, ad attirare l’interesse degli appassionati, in queste ultime ore, è l’arrivo dei nuovi hard disk RealSSD C300 di Micron. Le promesse di Micron sono veramente interessanti, d’altronde anche le caratteristiche tecniche parlano chiaro: supporto SATA 6GB/s, interfaccia

Dopo il probabile lancio di nuovi drive a stato solido da parte di Intel, tocca a Micron Technology annunciare l’inizio della produzione di memorie flash con processo produttivo a 34 nanometri. I chip di tipo NAND MLC permetteranno di realizzare SSD più veloci ed economici, conformi alla versione 2.1 delle specifiche ONFI (Open NAND Flash

Lo sviluppo di Micron sulle memorie destinate ai notebook è giunto ad un risultato che probabilmente cancellerà un interrogativo che spesso ci si pone al momento di effettuare un acquisto: puntare alle prestazioni o al risparmio energetico? La risposta è nella nuova linea di memorie Micron SODIMM DDR3, capaci di lavorare con un voltaggio di

La ricerca di Micron nel campo delle memorie NAND flash ha portato alla luce una nuova tecnologia, denominata e-MMC, che semplifica la gestione e l’integrazione dei supporti di memoria flash nei vari dispositivi che ne fanno uso. La novità risiede nella combinazione di chip di memoria NAND flash con un controller MMC (MultiMediaCard) ad alta

Micron annuncia un’importante novità nel settore delle Flash NAND con l’introduzione del Block Abstracted Controller, un sistema proprietario capace di farsi carico della gestione della memoria andando così ad alleggerire il chipset a cui è collegata l’unità e semplificando in modo determinante la progettazione e la realizzazione di sistemi embedded. Tali unità di memoria vanno

Recentemente il produttore americano di memorie Micron Technology ha introdotto una nuova classe di memorie NAND SLC capaci di sopportare carichi di lavoro superiori garantendo una robustezza di funzionamento fino a 10 volte maggiore rispetto alle memorie NAND attuali. Nello specifico si parla di una capacità fino a un milione di cicli di lettura/scrittura per

Nei giorni scorsi Intel e Micron hanno avviato la produzione in massa dei chip di memoria Flash NAND con processo produttovi di 34 nanometri. Tali chip di memoria sono realizzati con tecnologia MLC che consente di immagazzinare una maggiore densità di bit per unità di superficie, raggiungendo così una capacità pari a 32 gigabit. I

Intel Corporation e Micron Technology hanno annunciato la realizzazione del primo chip di memoria NAND flash con processo produttivo inferiore ai 40 nanometri. Le due aziende, unite nella joint venture IM Flash Technologies, produrranno i nuovi chip di tipo MLC (Multi-Level Cell) da 32 GB, utilizzando il processo produttivo da 34 nanometri.

Apacer Technology ha annunciato la disponibilità di nuovi moduli di memoria DDR3 appartenenti alla serie Aeolus, caratterizzati da frequenze di clock di 1800MHz e 1600MHz specificamente studiati per funzionare in regime di overclock. I moduli sono disponibili in kit da 2x1GB e sono costruiti utilizzando chip di memoria forniti da Micron Technology, azienda leader nella

Micron Technology ha recentemente annunciato lo sviluppo di moduli di memoria DDR3 SO-DIMM aventi capacità di 4 Gigabyte, la cui produzione in volumi dovrebbe iniziare entro la fine del terzo trimestre dell’anno. I moduli proposti da Micron permetteranno la costruzione di notebook caratterizzati dalla presenza di 8 Gigabyte di memoria RAM DDR3. Una tale configurazione

Ritenendo che le memorie NAND Flash attualmente in commercio non sono abbastanza veloci, Intel e Micron hanno recentemente annunciato lo sviluppo di una nuova generazione di chip NAND Flash, in grado di moltiplicare 5 volte le prestazioni che si possono raggiungere con la tecnologia a disposizione. La nuova tecnologia dovrebbe essere in grado di raggiungere

Micron Techology, leader nella produzione di memorie dinamiche ad accesso diretto (DRAM), ha da poco presentato sul mercato il primo chip di memoria DDR3 avente una densità di ben 2 Gigabit. Una densità così elevata permetterà la realizzazione di moduli DDR3 aventi capacità fino a 16 Gigabyte per sistemi server e 4 Gigabyte per sistemi