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Intel annuncia la nuova memoria 3D XPoint

Intel e Micron hanno sviluppato la tecnologia 3D XPoint che permette di realizzare memoria non volatile fino a 1.000 volte più veloce della flash NAND.

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Intel e Micron hanno realizzato un nuovo tipo di memoria non volatile, in grado di offrire prestazioni fino a 1.000 volte superiori a quelle dell’attuale memoria NAND, usata nelle memory card e negli SSD. Il nome della tecnologia è 3D XPoint (si pronuncia crosspoint) e rappresenta la prima nuova categoria di memoria dall’introduzione della flash NAND nel 1989.

La crescente diffusione dei dispositivi connessi e dei servizi digitali ha provocato un aumento esponenziale di dati che devono essere immagazzinati ed elaborati molto velocemente. Le aziende devono quindi adottare soluzioni di storage che garantiscano il migliore compromesso tra prestazioni, costi e consumi. La tecnologia 3D XPoint combina tutti i vantaggi delle attuali memorie, offrendo una durata 1.000 volte maggiore delle NAND e una densità 10 volte maggiore delle DRAM.

Le memorie flash NAND richiedono la cancellazione di un intero blocco di celle, prima della scrittura. Ciò riduce le prestazioni e la durata delle celle. Anche nella memoria 3D XPoint le operazioni di lettura e scrittura avvengono variando il valore della tensione, ma le celle possono essere indirizzate e scritte singolarmente. Inoltre, la loro selezione non richiede l’uso di transistor. Ogni cella di memoria conserva un solo bit e l’architettura tridimensionale (ci sono due layer, uno sopra l’altro) permette di realizzare chip da 128 Gb.

Intel ritiene che le memoria 3D XPoint possano essere utilizzate per eseguire compiti complessi, per i quali sono necessari una grande capacità di storage e prestazioni elevate, come machine learning, analisi genetica e giochi con risoluzione 8K. I primi chip verranno consegnati ai partner entro fine anno. Intel e Micron svilupperanno prodotti basati sulla nuova tecnologia.

Fonte: Intel • Notizie su: ,