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Samsung: in arrivo cellulari con 16 GB di memoria

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Entro fine anno dovremmo (il condizionale è d’obbligo) vedere sul mercato dei nuovi cellulari Samsung equipaggiati con una memoria da fare invidia a un notebook: ben 16 GB.

Tutto questo sarà reso possibile da un nuovo modulo miniaturizzato di memoria NAND flash con circuiti intorno a 51 nm.

Così tanta memoria nasce da un intenso lavoro di ricerca e studio attuato nei laboratori dell’azienda coreana che attualmente, secondo il direttore di marketing Jim Elliott, “è mezza generazione avanti rispetto al resto del settore”.

E c’è da crederci dato che gli altri produttori (compresa la stessa Apple che sta lavorando per il suo I-Phone) lavorano ancora su circuiti di 60 nm, più lenti di quelli prodotti da Samsung a 51 nm.

La circuiteria @ 51nm è più efficiente del 60% rispetto alla tecnologia a 60 nm.

Le memorie a @ 51 hanno una velocità di 30 MB al secondo in lettura e di 8 MB al secondo in scrittura, ben oltre i 17 MB al secondo in lettura e 4,4 MB al secondo in scrittura delle memorie a 60 nm.

Per tale motivo la Apple sta stipulando accordi di fornitura per le memorie del suo I-Phone con l’azienda coreana.

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