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Eccellenza italiana nell’Hi-Tech

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Durante il World Mobile Congress avevamo conosciuto Numonix, una nuova, importante realtà produttiva nel settore delle memorie “flash”.

Grazie a un invito di Text100, società di PR specializzata nelle tecnologie, abbiamo partecipato a una colazione di lavoro con i vertici della nuova società. Gli oratori erano Brian L. Harrison, President e Chief Executive Officer proveniente da Intel, e il Chief Operating Officer Mario Licciardello, già in STMicroelectronics.

L’accordo fra il colosso Intel e una società ? STMicroelectronics ? con solide radici italiane non può che far piacere.

Harrison e Licciardello hanno tratteggiato per Numonix un futuro importante basato su posizioni di partenza forti e su importanti espansioni, con particolare riferimento alle memorie non volatili.

Si è poi visitato lo stabilimento di Agrate (e in particolare l’unità R2) che, insieme a quello di Catania, è uno fra i più importanti di Numonyx.

Lo stabilimento collabora con il Consiglio Nazionale delle Ricerche e varie università e centri di ricerca italiani ed europei. Molte scolaresche vengono in visita ad Agrate, in un’attività di coinvolgimento che mira a interessare i giovani per poterli riportare in fabbrica come lavoratori qualificati.

I programmi di sviluppo tecnologico prevedono il vantaggioso aumento del diametro dei “wafer” (sono le fette di silicio sulle quali vengono creati i circuiti integrati) e la parallela diminuzione delle dimensioni degli elementi del chip fino a 32 nm nel 2010 (il nanometro vale un milionesimo di millimetro) per tutte e tre le tecnologie NAND, NOR e PCM.

Una delle risorse più importanti dell’unità R2 sono le “Clean Rooms”, le “stanze pulite” nelle quali avvengono le lavorazioni più sofisticate.

La superficie totale è di 6.000 m², l’aria non solo è pulitissima – le particelle da 0,1 µm in ogni metro cubo sono meno di 10 ? ma viene cambiata 10 volte in un minuto.

Il clima è estremamente controllato e la temperatura del settore della litografia (quello nel quale vengono “disegnati” sul silicio gli elementi del circuito) è mantenuta a 22° ± 0,3°; per minimizzare il trasporto di particelle estranee si cura anche la forma del flusso dell’aria che scorre dal controsoffitto filtrante al pavimento: esso devia dalla verticale entro 14°.

Il piano di calpestio è interrotto in corrispondenza delle macchine più pesanti e vibranti e queste ultime hanno fondazioni separate, infisse direttamente nel suolo. Il pavimento poggia, con interposizione di elementi smorzanti, su plinti distinti e separati da quelli dei macchinari.

Nel reparto litografia s'”impressiona”, tramite una luce che attraversa una maschera con il disegno dei particolari da costruire, uno strato fotosensibile steso sul wafer di silicio.

La luce visibile ha una lunghezza d’onda troppo “grande” per i microscopici particolari delle moderne tecnologie ed è stata soppiantata da radiazioni più “corte”. Evoluti procedimenti permettono poi di minimizzare le comunque presenti e deleterie figure di diffrazione che renderebbero imprecisi i disegni degli elementi.

Uno speciale liquido, con indice di rifrazione ad hoc, migliora ancora le prestazioni ottiche dei sistemi, che devono possedere una precisione elevatissima. Le esposizioni sono infatti molte e ognuna di esse dev’essere perfettamente in registro con la precedente.