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Samsung avvia la produzione della nuova HBM2

Samsung ha avviato la produzione di massa della memoria HBM2 da 8 GB che offre una velocità massima di 2,4 Gbps e una larghezza di banda di 307,2 GB/s.

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Samsung ha annunciato l’avvio della produzione di massa della memoria HBM2 (High Bandwith Memory 2) di seconda generazione. Il chip da 8 GB (nome in codice Aquabolt) è in grado di raggiungere una velocità di trasferimento dati per pin pari a 2,4 Gbps, un record assoluto per l’industria. Simili prestazioni avranno ripercussioni positive per il mercato dei supercomputer e delle schede video. I recenti processori Intel Kaby Lake G utilizzano proprio la memoria HBM2.

La memoria HBM, sviluppata da AMD e Hynix, prevede l’uso di un’architettura “stacked 3D”. In pratica il modulo da 8 GB è costituito da otto die da 8 Gb ognuno, impilati l’uno sull’altro e connessi verticalmente da TSV (Through Silicon Via) e microbumps. Ogni die contiene oltre 5.000 TSV, quindi in un package a 8 GB ci sono oltre 40.000 TSV. Un numero così elevato permette ai dati di passare da un TSV all’altro, incrementando la velocità di trasmissione, senza aumentare il calore generato. Samsung ha incrementato il numero di bump termici e aggiunto uno strato protettivo addizionale nella parte inferiore.

Il modulo da 8 GB di seconda generazione funziona ad una tensione di 1,2 Volt e raggiunge velocità di trasferimento dati pari a 2,4 Gbps. A parità di tensione, la prima generazione raggiungeva “solo” 1,6 Gbps, mentre portando la tensione a 1,35 Volt si ottiene un transfer rate massimo di 2 Gbps. Grazie al bus a 1024 bit si ottiene una larghezza di banda di 307,2 GB/s (2,4 Gbps x 1024 bit / 8). A titolo di confronto, un chip GDDR5 da 8 Gb possiede una larghezza di banda pari a 32 GB/s (8 Gbps x 32 bit / 8).

Fonte: Samsung