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Galaxy S10, Samsung conferma 1 TB di storage

Samsung ha avviato la produzione di massa della memoria flash eUFS 2.1 da 1 TB che dovrebbe essere utilizzata nel prossimo Galaxy S10.

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In base alle indiscrezioni che circolano da diverse settimane, il Galaxy S10+ dovrebbe essere disponibile anche con 1 TB di storage. Samsung ha indirettamente confermato questa versione con l’annuncio di oggi relativo alla produzione di massa per i chip eUFS 2.1 da 1 TB.

A distanza di soli quattro anni dalla prima soluzione eUFS (embedded Universal Flash Storage) da 128 GB, il produttore coreano ha dunque raggiunto un importante traguardo. Con 1 TB sarà possibile conservare file multimediali di grandi dimensioni (ad esempio 260 video a risoluzione 4K da 10 minuti ognuno), senza utilizzare le più lente schede di memoria microSD. In pratica, i futuri smartphone (Galaxy S10+ incluso) avranno una capacità di storage paragonabile a quella di un notebook premium.

Le dimensioni del chip sono rimaste invariate rispetto alla precedente versione da 512 GB, ma la capacità è raddoppiata grazie a 16 layer di memoria flash V-NAND, abbinata ad un nuovo controller proprietario. Samsung ha inoltre incrementato le prestazioni, raggiungendo i 1.000 MB/s in lettura sequenziale, circa il doppio di un SSD SATA. La lettura casuale avviene invece ad una velocità massima di 58.000 IOPS. Meno marcati i miglioramenti in scrittura, ma altrettanto importanti: 260 MB/s (sequenziale) e 50.000 IOPS (casuale).

Le velocità causali sono i parametri da considerare per la registrazione video in super slow motion a 960 fps, un’altra delle funzionalità previste per i Galaxy S10. Samsung non ha ovviamente confermato che la nuova memoria flash troverà posto nel prossimo top di gamma, ma le voci che circolano da tempo sono piuttosto affidabili. La produzione di massa dei chip è stata avviata nell’impianto di Pyeongtaek in Corea, dove è già in corso la produzione dei chip da 512 GB.

Fonte: Samsung • Immagine: Samsung