Qualcomm svela lo Snapdragon 835 con Quick Charge 4

Qualcomm ha presentato allo Snapdragon Technology Summit di New York lo Snapdragon 835, il processore di fascia alta che prenderà il posto degli attuali Snapdragon 820/821. Il chipmaker californiano non ha fornito le specifiche complete, ma ha confermato le indiscrezioni delle scorse settimane: il SoC è realizzato con il processo produttivo FinFET a 10 nanometri sviluppato da Samsung. Qualcomm ha inoltre illustrato il funzionamento della tecnologia Quick Charge 4.

Anche gli attuali Snapdragon 820/821 sono prodotti nelle fabbriche di Samsung, ma con tecnologia a 14 nanometri. La riduzione delle dimensioni consente di incrementare le prestazioni e ridurre i consumi. Qualcomm non ha condiviso nessun dato, ma Samsung aveva comunicato ad ottobre (quando è stata avviata la produzione di massa) che la tecnologia a 10 nanometri consente di ottenere un aumento fino al 27% della performance e fino al 40% dell’autonomia. Lo Snapdragon 835 troverà posto nei dispositivi che arriveranno sul mercato nel primo semestre 2017, uno dei quali dovrebbe il Samsung Galaxy S8.

Una delle novità introdotte con il SoC è il supporto per Quick Charge 4. A differenza dell’attuale Quick Charge 3, la nuova tecnologia di ricarica rapida è pienamente compatibile con le specifiche USB Type-C e USB Power Delivery, quindi rispetta anche le linee guida di Google per la ricarica degli smartphone con Android 7.0 Nougat.

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Qualcomm promette tempi di ricarica fino al 20% inferiori a quelli di Quick Charge 3, cinque ore di autonomia con cinque minuti di carica e un livello del 50% in meno di 15 minuti. Quick Charge 4 è più smart, in quanto rileva il tipo e la qualità del cavo USB Type-C, offrendo inoltre la massima protezione durante il processo di carica attraverso la misurazione accurata di tensione, corrente e temperatura. Ciò evita il surriscaldamento e l’eventuale esplosione della batteria.