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Samsung svela la roadmap fino ai 3 nanometri

Samsung Foundry ha aggiornato la roadmap con l'elenco delle tecnologie di processo che vanno dai 7 nanometri del 2019 ai 3 nanometri del 2023.

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Il produttore coreano ha aggiornato la roadmap dei suoi processori che verranno integrati nei futuri smartphone di fascia alta, nelle soluzioni HPC (High-Performance Computing) e nei dispositivi connessi. Samsung Foundry ha elencato le prossime quattro tecnologie di processo che porterà fino a 3 nanometri nel 2023.

I recenti Samsung Galaxy S9/S9+ integrano il processore octa core Exynos 9810 (lo stesso SoC troverà posto nel futuro Galaxy Note 9), realizzato con la seconda generazione del processo FinFET a 10 nanometri. Lo step successivo è la tecnologia 7LPP (7 nanometri Low Power Plus), la prima che sfrutta la litografia EUV (Extreme Ultra Violet). L’inizio della produzione è prevista per la seconda metà del 2018, ma entrerà a regime nella prima metà del 2019. Il primo processore a 7 nanometri dovrebbe essere utilizzato per il Galaxy S10.

La precedente roadmap prevedeva le tecnologie 6LPP e 5LPP. Entrambe sono state sostituite dalla tecnologia 5LPE (5 nanometri Low Power Early) che permetterà di ridurre la dimensione dei chip e i consumi rispetto ai 7 nanometri. L’avvio della produzione è pianificata per la fine del 2019. Il passaggio alle tecnologie 4LPE/LPP (4 nanometri Low Power Early/Plus) sarà piuttosto semplice e avverrà tra il 2020 e il 2022. Questa sarà l’ultima tecnologia basata su FinFET.

La tecnologia di processo a 3 nanometri, prevista dopo il 2022, userà l’architettura GAAFET (Gate-All-Around FET). L’implementazione di Samsung è nota come MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) e sfrutterà la litografia EUV di quinta generazione. I processori a 3 nanometri avranno una maggiore densità (numero di transistor per millimetri quadrati), prestazioni più elevate e consumi inferiori.

Fonte: Samsung • Via: AnandTech • Immagine: archy13 via iStock