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Samsung annuncia la nuova memoria HBM2E da 16 GB

Samsung ha annunciato la nuova memoria HBM2E da 16 GB che offre velocità di trasferimento e larghezza di banda superiori a quelli della HBM2 da 8 GB.

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A distanza di circa due anni dall’arrivo sul mercato della memoria HBM2 di seconda generazione (Aquabolt), Samsung ha annunciato il lancio di Flashbolt, la memoria HBM2E (High Bandwidth Memory 2E) di terza generazione che offre prestazioni ancora più elevate.

HBM è il nome dell’interfaccia per memorie RAM che offre una maggiore larghezza di banda rispetto alle più diffuse DDR4 o GDDR5 e pertanto sono utilizzate principalmente nelle schede video di fascia alta e nei supercomputer. Samsung ha realizzato chip da 16 Gb con tecnologia di processo a 10 nanometri. Un modulo da 16 GB viene ottenuto impilando uno sull’altro 8 chip da 16 Gb, sfruttando quindi un’architettura “stacked 3D”. I layer sono interconnessi con microbumps TSV (Through Silicon Via), ovvero microscopici fori nei chip. Nel modulo da 16 GB ce ne sono oltre 40.000.

Questa particolare architettura permette di incrementare le prestazioni senza aumentare il calore generato. Flashblot raggiunge una velocità di trasferimento massima (affidabile) pari a 3,2 Gbps, grazie ad un particolare design dei circuiti che migliora la trasmissione del segnale. La larghezza di banda per stack è invece di 410 GB/s. Il chip può essere anche overcloccato, in modo da raggiungere un transfer rate di 4,2 Gbps e una larghezza di banda di 538 GB/s.

Samsung ha pianificato l’avvio della produzione di massa entro la prima metà del 2020. Il produttore coreano continuerà tuttavia ad offrire l’attuale memoria HBM2 da 8 GB (Aquabolt). Quasi certamente la nuova memoria HBM2E ad 16 GB troverà posto sulle future schede video di AMD e NVIDIA.

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