Intel prepara il successore delle memorie flash

Intel e STMicroelectronics hanno raddoppiato la capacità di memorizzazione delle loro memorie a cambiamento di fase. La rivoluzionaria scoperta potrebbe accelerare l'introduzione dei nuovi chip di memoria nel mercato
Intel e STMicroelectronics hanno raddoppiato la capacità di memorizzazione delle loro memorie a cambiamento di fase. La rivoluzionaria scoperta potrebbe accelerare l'introduzione dei nuovi chip di memoria nel mercato

Sembra non conoscere sosta la miniaturizzazione dei componenti elettronici. Il colosso americano Intel e la società italo-francese STMicroelectronics hanno da poco sviluppato un nuovo chip per l’archiviazione di dati con una densità di memorizzazione doppia rispetto alle versioni precedenti. Le nuove memorie a cambiamento di fase (PCM), non volatili ma allo stato solido, potrebbero in futuro sostituire le attuali flash memory utilizzate in numerosi dispositivi portatili come iPod, macchine fotografiche digitali e smartphone.

La fase di sperimentazione della nuova generazione di memorie non è, naturalmente, ancora completata. Alcuni team di Intel e STMicroelectronics sono impegnati nel lavoro di ricerca e sviluppo per rendere stabili i nuovi chip. Tuttavia, le due società hanno già inviato i primi prototipi ai costruttori di dispositivi informatici, che potranno effettuare i primi test sulle nuove memorie. Secondo Intel e STMicroelectronics, l’architettura delle PCM consente una maggiore affidabilità rispetto alle memorie flash e una velocità più alta nel trasferimento di dati.

Le memorie a cambiamento di fase basano il loro funzionamento su un particolare materiale vetroso, in grado di variare il proprio stato da gassoso a cristallino. Ai due stati corrispondono rispettivamente le cifre 1 e 0 del sistema binario, la spina dorsale di qualsiasi dispositivo informatico. Grazie a una particolare implementazione, i ricercatori di Intel e STMicroelectronics sono riusciti nella difficile impresa di portare da due a quattro il numero di stati in cui può trasformarsi il materiale vetroso, raddoppiando così di fatto la capacità di memoria di ogni singolo chip.

Da circa cinque anni Intel e STMicroelectronics sono impegnate nella ricerca e nello sviluppo di nuove soluzioni per le memorie a cambiamento di fase. Entro i prossimi mesi la collaborazione tra le due società si farà ancora più stretto grazie alla creazione di Numonyx, una joint venture per la produzione di memorie flash. Il progetto prenderà definitivamente il via entro la fine di marzo: STMicroelectronics entrerà in possesso del 48,6% di Numonyx, mentre Intel ne custodirà il 45% circa. Numonyx produrrà memorie flash per poi riconvertire le proprie linee di produzione in concomitanza con la definitiva commercializzazione dei primi modelli di memorie a cambiamento di fase.

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