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Samsung Galaxy S8, memoria flash UFS 2.0 o 2.1?

Nei Galaxy S8 e S8+ con processore Snapdragon 835 si possono trovare memorie flash Toshiba di tipo UFS 2.0 o 2.1 con velocità molto diverse tra loro.

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I recenti Galaxy S8 e S8+ integrano componenti di diversi produttori, ad esempio i processori Snapdragon 835 (Qualcomm) e Exynos 8895 (Samsung) oppure i sensori Sony e System LSI per le fotocamere. Gli esperti di XDA Developers hanno scoperto che nei due smartphone possono essere trovati moduli di memoria flash realizzate da Samsung e da Toshiba. Gli utenti non sanno però se lo standard scelto è UFS 2.0 o 2.1.

Scoprire il tipo di memoria flash è abbastanza semplice, in quanto è sufficiente installare l’app Material Terminal, disponibile sul Google Play Store. Dopo aver digitato il comando cat /proc/scsi/scsi verrà elencato il model number dei chip. I Galaxy S8 e S8+ con processore Exynos 8895, ovvero quelli in vendita anche nel nostro paese, integrano memorie flash di tipo UFS 2.1 (KLUCG4J1ED-B0C1) prodotte da Samsung, mentre nei Galaxy S8 e S8+ con processore Snapdragon 835 possono esserci memorie Toshiba di tipo UFS 2.1 (THGAF4G9N4LBAIRB) o UFS 2.0 (THGBF7G9L4LBATRC).

I risultati del test effettuano con AndroBench evidenziano grandi differenze in termini di prestazioni teoriche: circa 500 MB/s in lettura sequenziale per i chip UFS 2.0 e circa 800 MB/s per i chip UFS 2.1. Nell’uso quotidiano probabilmente gli utenti non si accorgeranno di nulla. La situazione sarebbe stata più “grave” se Samsung avesse usato memorie eMMC 5.1, come ha fatto Huawei con i P10 e P10 Plus.

Simile casi si verificano con tutti i produttori, in quanto non è possibile acquistare componenti da un singolo fornitore e soddisfare completamente la domanda dei consumatori. Proprio per questo motivo, Samsung ha deciso (giustamente) di eliminare l’indicazione UFS 2.1 per la memoria flash nelle specifiche dei due smartphone.