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Samsung raddoppia la velocità della memoria flash

Samsung ha avviato la produzione di massa dei chip eUFS 3.0 da 512 GB che permettono di raggiungere i 2.100 MB/s in lettura e 410 MB/s in scrittura.

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Samsung ha annunciato l’avvio della produzione di massa dei primi chip da 512 GB basati sullo standard embedded Universal Flash Storage 3.0. I recenti Galaxy S10 integrano memorie flash eUFS 2.1, quindi più lente. I nuovi chip potrebbero essere utilizzati nel Galaxy Fold e nel Galaxy Note 10.

Al Mobile World Congress 2019 di Barcellona erano state presentate le prime microSD da 1 TB. Considerati i prezzi iniziali e le prestazioni non avrebbe più senso utilizzarle per incrementare lo storage di uno smartphone di fascia alta. Samsung però offre ancora questa possibilità nei suoi Galaxy S10. Probabile che il produttore coreano eliminerà il supporto alle microSD proprio con l’arrivo sul mercato del Galaxy Fold.

Samsung ha pubblicato una tabella per mostrare l’incremento di velocità rispetto alle tipologie di memoria precedenti. Il chip eUFS 2.1 da 1 TB usato per il Galaxy S10+ raggiunge i 1.000 MB/s in lettura sequenziale e 260 MB/s in scrittura sequenziale. La memoria flash eUFS 3.0 da 512 GB, ottenuta unendo otto chip V-NAND da 512 Gb, raggiunge invece i 2.100 e 410 MB/s, rispettivamente. La nuova soluzione di storage è quindi quattro volte più veloce di un SSD SATA e venti volte più veloce di una microSD.

Con questa memoria flash è possibile trasferire un film con risoluzione full HD (3,7 GB) da smartphone a PC in appena tre secondi. Anche le prestazioni in lettura e scrittura casuale sono aumentate, raggiungendo 63.000 e 68,000 IOPS, rispettivamente. Samsung ha avviato la produzione dei chip da 512 e 128 GB. Nella seconda metà del 2019 arriveranno sul mercato anche i chip da 256 GB e 1 TB. Galaxy Fold Galaxy Note 10 dovrebbero essere i primi smartphone Samsung con la nuova memoria flash eUFS 3.0.

Fonte: Samsung • Immagine: Samsung