IBM annuncia il primo chip al mondo a 2 nanometri

IBM ha creato il chip a 2 nm, il successore del semiconduttore FinFET, perfezionando la sua tecnica a nanofogli o GAA.

Non solo Cina tra i Paesi all’avanguardia per quanto riguarda la ricerca e lo sviluppo di nuovi e avanzati elementi tecnologici. E’ infatti di oggi la notizia che l’americana IBM ha sviluppato, per la prima volta al mondo, una nuova categoria di chip basati su transistor dalle dimensioni di due soli nanometri, perfezionando la sua tecnica detta a nanofogli di silicio.

La più antica e tra le maggiori società al mondo nel settore informatico ha infatti annunciato di aver creato un chip a 2 nm utilizzando l’architettura del dispositivo in nanosheet, o gate-all-around (GAA). La configurazione consentirà quindi a IBM di inserire 50 miliardi di transistor in uno spazio minuscolo delle dimensioni di un’unghia, per processori il 75% più efficienti e il 45% più veloci degli attuali chip di fascia alta da 5 nm, che al massimo possono contenere 12 miliardi di transistor.

La nuova tecnologia di IBM

Per gli esperti la notizia più significativa è il design dei transistor stessi. La nuova tecnologia di IBM, chiamata Nanosheet o transistor gate-all-around, è il tanto atteso successore dei transistor FinFET di oggi. I semiconduttori FinFET sono stati per anni utilizzati nei processori di tutte le aziende del mondo e nelle memorie RAM, costituiti da un canale a forma di aletta circondato su tre lati da un “gate” che controlla il flusso di elettroni.

I transistor a nanofogli hanno invece un canale a strati impilati uno sopra l’altro e sono circondati da terminali su tutti i lati utilizzati per controllare la corrente che attraversa il dispositivo. I transistor gate-all-around forniscono quindi un migliore controllo dell’energia elettrica, prevengono le perdite e aumentano l’efficienza. Questo significa che il chipset è più potente ed efficiente dal punto di vista energetico rispetto agli altri, con un aumento importante nelle prestazioni e un risparmio energetico maggiore.

Secondo quanto rivelato dal colosso dell’informatica, ne consegue che la durata della batteria degli smartphone che utilizzeranno la tecnologia 2 nm sarà almeno quattro volte superiore rispetto a quella attuale dei dispositivi che adottano chip a 7 nm, con la possibilità quindi per gli utenti di poter ricaricare il device solo una volta ogni quattro giorni circa.

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