QR code per la pagina originale

Chip UFS 3.1 da 512 GB, Samsung avvia la produzione

Samsung ha avviato la produzione di massa dei chip eUFS 3.1 da 512 GB che raggiungono una velocità di scrittura pari a 1.200 MB/s.

,

Samsung ha comunicato l’avvio della produzione di massa dei primi chip eUFS 3.1 da 512 GB che verranno integrati nei futuri smartphone di fascia alta. La versione più recente dello standard UFS (Universal Flash Storage) permette di incrementare notevolmente le prestazioni in scrittura delle memorie flash V-NAND rispetto alle precedenti UFS 3.0 utilizzate dal produttore coreano nella serie Galaxy S20.

I moderni smartphone consentono di eseguire operazioni impensabili fino a qualche anno fa. I produttori investono in particolare sulle funzionalità fotografiche, tra cui la registrazione video a risoluzione 8K. Per salvare i file sul dispositivo occorre però uno storage con elevate velocità di scrittura. Questo è proprio il miglioramento ottenuto da Samsung con i chip eUFS (embedded Universal Flash Storage) 3.1 da 512 GB. La velocità della lettura sequenziale (2.100 Mb/s) è rimasta invariata rispetto ai precedenti chip eUFS 3.0, mentre quella in scrittura è triplicata passando da 410 a 1.200 MB/s.

A titolo di confronto le analoghe velocità di un hard disk SATA 3.0 e di una microSD UHS-I sono circa 540 e 90 MB/s, rispettivamente. Il salvataggio di un video 8K avviene dunque senza buffering. Anche il trasferimento dei dati dal vecchio al nuovo smartphone avviene più rapidamente. Ad esempio per spostare 100 GB di dati occorrono circa 1,5 minuti contro i quattro dello storage UFS 3.0.

Anche le prestazioni in lettura e scrittura casuale sono aumentate. Il chip eUFS 3.1 da 512 GB raggiunge i 100.000 IOPS in lettura casuale e i 70.000 IOPS in scrittura casuale. Oltre ai chip da 512 GB, Samsung produrrà i chip da 128 e 256 GB. L’attuale processore Exynos 990 integrato nei Galaxy S20 supporta solo storage UFS 3.0, quindi i chip UFS 3.1 verranno probabilmente abbinati al futuro SoC di fascia alta.