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Chip tridimensionali anche per Samsung

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Solo qualche giorno fa avevamo parlato della tecnologia “trough-silicon-via“, adottata da IBM, per la produzione di chip tridimensionali, ovvero chip con un package stacked (impilato).

Samsung ha annunciato oggi lo sviluppo di un modulo di memoria DDR2 costruito con la suddetta tecnica.

Il package utilizzato per questo modulo di memoria prende il nome di WSP (Wafer-Level-Processed Stacked Package) e prevede il montaggio sovrapposto di quattro chip DRAM DDR2 da 512Mbit ciascuno.

Con l’ausilio della tecnologia trough silicon via, Samsung è stata in grado di presentare il primo modulo di memoria da 4GB costruito con il package WSP.

I vantaggi che si hanno nell’utilizzare tale tecnologia riguardano sia la riduzione del consumo energetico e delle dimensioni, sia la possibilità di incrementare la velocità dei flussi di dati all’interno dei chip, eliminando così gli impedimenti fisici derivanti dalla costruzione bi-dimensionale dei dispositivi.

Al momento, Samsung non ha ancora annunciato alcuna notizia riguardante la produzione di massa delle nuove unità di memoria e il relativo prezzo di vendita.