Primo chip NAND flash a 34 nm da Intel e Micron

Intel Corporation e Micron Technology hanno annunciato la realizzazione del primo chip di memoria NAND flash con processo produttivo inferiore ai 40 nanometri.Le due aziende, unite nella joint venture IM Flash Technologies, produrranno i nuovi chip di tipo MLC (Multi-Level Cell) da 32 GB, utilizzando il processo produttivo da 34 nanometri.I primi campioni del chip

Intel Corporation e Micron Technology hanno annunciato la realizzazione del primo chip di memoria NAND flash con processo produttivo inferiore ai 40 nanometri.

Le due aziende, unite nella joint venture IM Flash Technologies, produrranno i nuovi chip di tipo MLC (Multi-Level Cell) da 32 GB, utilizzando il processo produttivo da 34 nanometri.

I primi campioni del chip saranno disponibili nel corso del mese di Giugno, mentre la produzione di massa inizierà durante la seconda metà dell’anno.

Il chip NAND da 32 GB è attualmente l’unico dispositivo monolitico esistente al mondo che può essere inserito in un package standard di tipo TSOP (Thin Small-Outline Package) a 48 pin. Prodotto su wafer da 300 millimetri di diametro, il chip ha un’area di 172 mmq e consentirà di realizzare dischi a stato solido ad alta densità, raddoppiando l’attuale limite di 256 GB e con fattore di forma minore di 1,8 pollici.

Secondo Intel, un chip NAND da 32 GB consente di memorizzare più di 2000 immagini ad alta risoluzione o fino a 1000 canzoni, mentre accoppiando due package da 8 die, si ottengono 64 GB di storage, sufficienti per registrare fino a 40 ore di video in alta definizione.

Grazie al nuovo processo produttivo a 34 nanometri, Intel e Micron, hanno già in programma di introdurre entro la fine dell’anno, sia prodotti MLC con densità minore, sia prodotti di tipo SLC (Single-Level Cell).

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