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Memorie Flash da 100GB?

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Un gruppo di ricercatori coreani dell’Università di Pohang sta portando a termine la realizzazione di una nuova tecnologia produttiva a 10 nanometri che permetterà, nei prossimi anni, di realizzare moduli di memoria statica aventi capacità fino a 100 Gigabyte.

Questa nuova tecnologia prevede l’impiego di un nuovo tipo di semiconduttori che utilizzano nanotubi al carbonio 12.000 volte più sottili di un capello umano.

Se il progetto darà esiti positivi, potremo assistere a una nuova generazione di dispositivi basati su memoria statica di grandi capacità.

Tanto per fare un paragone, Samsung ha da poco annunciato una nuova tecnologia (charge trap flash) a 40 nm, che potrà essere miniaturizzata in futuro fino a raggiungere i 20 nanometri, consentendo capacità massime di 64GB.

I semiconduttori a nanotubi di carbonio potranno essere impiegati in un primo momento per i dispositivi portatili quali notebook o lettori multimediali, ma non è da escludere che questa tecnologia approderà anche nel mercato desktop.

Nonostante la notizia abbia del sensazionale, tengo a ricordare che le evoluzioni nel mondo della tecnologia tendono a procedere per piccoli passi e in modo graduale, con pochi salti veramente rivoluzionari. Non ci sarà quindi da meravigliarsi se questo tipo di semiconduttori arriverà sul mercato tra qualche anno.

Video:Samsung Galaxy M30s